
Tirant profit de la technologie InGaP-Plus de l’américain, ce module prend la forme de chaînes d’amplification RF séparées pour les parties GSM/Edge et W-CDMA/LTE/Cdma2000.
Un régulateur de tension et des coupleurs directionnels sont également embarqués.
Les entrées et sorties RF sont adaptées à 50 Ohms, alors que les entrées de contrôle sont compatibles Cmos 1,8 V. Pour un rendement optimal sur une large plage de niveaux de la puissance de sortie, le nouveau venu exploite également l’architecture Help (High-efficiency-at-low-power) de troisième génération de la société.
L’ALT6181 est actuellement échantillonné dans un boîtier CMS dont les dimensions sont de 5 x 7,5 x 0,9 mm.