Dans les applications portables, les derniers Mosfet de la famille Ecomos de Rohm permettront de faire l’impasse sur un circuit élévateur de tension. Rohm Semiconductor lance une gamme de Mosfet canal N annoncés comme étant les premiers du genre à se satisfaire d’une tension de commande de grille de 0,9 V. En optimisant la couche d’oxyde de grille et le profil du canal des Mosfet, la société est parvenue à remédier aux deux principales difficultés jusqu’ici rencontrées. A savoir : le contrôle des courants de fuite à haute température et le maintien du transistor à l’état bloqué sous une tension de seuil aussi basse.

Dans certaines applications mettant en œuvre des circuits intégrés alimentés sous 1 V ou moins, un tel résultat permettra de faire l’impassse sur une circuiterie chargée d’élever la tension à 1,2 V ou au-delà. Les principaux bénéfices en seront une conception simplifiée et un rendement accru.
Par ailleurs, les nouveaux venus se présentent comme des concurrents potentiels aux transistors bipolaires employés à des niveaux de tension très faibles.

Les appareils portables (téléphones mobiles, appareils photo-numériques, lecteurs audio, dictionnaires électroniques…) sont les premiers visés par ces Mosfet 50 V/0,2 A de la famille Ecomos. Ces produits sont déclinés en boîtiers VMN3 (0,6×1 mm) à UMT6 (équivalent au SOT-363).