Référencé SiHG47N60S, le dernier Mosfet 600 V de Vishay est caractérisé par une résistance à l’état passant de 70 mOhms et une charge de grille de 216 nC. Vishay Intertechnology a levé le voile sur un Mosfet de puissance 600 V / 47 A caractérisé par une résistance à l’état passant très faible. Celle-ci est en effet de 70 mOhms seulement, pour une tension de grille de 10 V. Ce qui signifie des pertes moindres en régime de conduction, dans les systèmes de puissance exploitant des onduleurs et des ponts PWM.
Ce transistor canal N en boîtier TO-247AC, référencé SiHG47N60S, est 100 % testé vis-à-vis des phénomènes d’avalanche. Il affiche une charge maximale de grille de 216 nC. Ce qui, en conjugaison avec la R_DS(on) indiquée, se traduit par un excellent facteur de mérite de 15,12 Ohms.nC.
Les télécoms, les serveurs, les onduleurs solaires ou éoliens et la commande de moteur sont les principaux champs d’applications visés.