Samsung annonce que, pour une mémoire RDIMM produite à partir de l’empilement de DDR 3 reliées entre elles par des TSV (Through Silicon Via), on obtient une consommation réduite de 40 % par rapport à celle d’une RDIMM classique. Dans le domaine des mémoires RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module), Samsung annonce avoir réussi à fabriquer un modèle d’une capacité de 8 Go, consommant 40 % de moins qu’une mémoire RDIMM traditionnelle. Cela en empilant des mémoires DDR3 fabriquées dans des procédés 4x nm et reliées entre elles par des TSV (Through Silicon Via).
Rappelons que la technologie des TSV, qui permet de relier des puces de silicium dans la 3éme dimension de l’espace grâce à des micro trous verticaux métallisés (souvent avec du cuivre), autorise la production de circuits 3D avec des longueurs de fils d’interconnexion réduites. Avec comme conséquence, une moindre consommation pour une densité équivalente à un circuit 2D.
Samsung prévoit de produire en volume des circuits 3D utilisant la technologie des TSV d’ici la fin 2011, et pense déployer cette approche en 2012 sur des circuits fabriqués dans des procédés en 3x nm.
