Œuvre de Vishay, le Si7655DN est crédité d’une résistance à l’état passant inférieure de 17% à celle de son plus proche concurrent. Référencé Si7655DN, le dernier Mosfet canal P de Vishay Intertechnology est un modèle de 20 V présenté en boîtier PowerPAK 1212-8S, dont les dimensions sont de 3,3 x 3,3 x 0,75 mm.
Réalisé selon la technologie TrenchFET Gen III de la société, ce transistor affiche une résistance à l’état passant de 4,8 mΩ seulement, pour une tension de grille de -4,5 V. A VGS=-2,5 V et à VGS=-10 V, cette résistance est de 8,5 mΩ et 3,6 mΩ, respectivement.
Vis-à-vis du produit concurrent le plus proche, le gain obtenu serait de 17 % et plus. Enfin, la charge de grille est typiquement de 72 nC.
Les applications de commutation de batterie et de charge dans les produits portables (smartphones, tablettes et autres) sont essentiellement visées.
4,8 mΩ (à -4,5 V) seulement pour un Mosfet 20 V canal P en boîtier de 3,3×3,3 mm
