
Cette résistance est en effet comprise entre 9,4 mOhms et 36 mOhms, pour des tensions grille-source entre 4,5 V et 1,2 V. Soit des valeurs jusqu’à 18 % inférieures à celles des Mosfet issus de la génération précédente de l’américain.
Le SiA436DJ trouvera son juste emploi dans les appareils électroniques portables (smartphones, tablettes…) pour des applications de commutation de charge.