Cette technologie de mémoire flash offre davantage de densité et de vitesse de traitement. Altera et TSMC ont entamé une collaboration portant sur l’utilisation du procédé de fabrication 55 nm EmbFlash du fondeur taiwanais. Altera devrait proposer des composants programmables exploitant cette mémoire non volatile avancée.

Par rapport à la précédente génération de TSMC, l’EmbFlash 55 nm offrirait une vitesse de traitement plus élevée, une densité décuplée et une taille de cellules flash et Sram réduite de 70% et 80% respectivement.