Renesas a développé une mémoire flash MONOS 40 nm optimisée pour l’automobile et disponible sous forme d’IP et, l’an prochain, au sein de microcontrôleurs. Renesas Electronics vient de développer ce qu’il considère être la première mémoire flash 40 nm disponible sous forme de propriété intellectuelle et optimisée pour les applications automobiles en temps réel. Cette mémoire reprend l’architecture MONOS du japonais et offre une vitesse de lecture de 120 MHz, une température de jonction maximale de 170 °C en lecture et une rétention de données de 20 ans avec 125 000 cycles d’écriture-effacement.

Renesas lancera également à l’automne 2012 des microcontrôleurs destinés à l’automobile et équipés de cette mémoire flash 40 nm.