Samsung lance la production d’une mémoire flash Nand MLC de 64 Gbits dotée d’une interface DDR2.0 Toggle à 400 Mbit/s. Samsung vient de lancer la production d’une mémoire flash Nand MLC de 64 Gbits dotée d’une interface DDR2.0 Toggle. Cette interface lui octroit une bande passante de 400 Mbit/s, soit dix fois plus qu’une flash SDR et trois fois plus qu’un modèle à interface DDR1.0. Cette mémoire flash bénéficie également d’une technologie de fabrication Cmos 20 nm.