Conçu pour les appareils grand public ultra-portables, le Mosfet 20 V de l’américain Alpha & Omega Semiconductor est proposé dans un boîtier dont l’épaisseur est de 0,3 mm seulement. Alpha & Omega Semiconductor (AOS) annonce un Mosfet 20 V canal P adoptant un nouveau boîtier permettant de réduire encore le facteur de forme.
Référencé AOC2403, ce transistor est ainsi encapsulé dans un boîtier MCSP (Molded chip scale package), dont les dimensions sont de 0,97 x 0,97 mm, pour une épaisseur de 0,3 mm seulement.
Ce qui, en comparaison avec un format CSP classique, se traduit par une hauteur de moitié inférieure. Les applications grand public sur le segment de l’ultra-portable (smartphones, tablettes, ultrabooks…) sont ici visées.
Le Mosfet d’AOS est crédité d’une résistance maximale à l’état passant comprise entre 95 mOhms (à V_GS=-4,5 V et I_D=-1 A) et 200 mOhms (à V_GS=-1,5 V et I_D=-0,5 A). La charge de grille totale est quant à elle typiquement de 4,8 nC.
L’AOC2403 est actuellement en production. Son prix unitaire est de 0,35 $, par quantité de 1000 pièces.