Encapsulées dans des boîtiers propriétaires, les dernières diodes Schottky de Microsemi sont caractérisées par une faible résistance thermique. Qualifiées par la DLA (Defense Logistics Agency), l’agence américaine de logistique de la défense, les dernières diodes Schottky de Microsemi sont conçues pour les applications aérospatiales et de défense, pour lesquelles une forte densité de puissance et une excellente dissipation thermique sont requises.
Ces diodes sont encapsulées dans des boîtiers ThinKey brevetés, alliant métal et céramique, exempts de fils de bonding afin d’améliorer la fiabilité. Avec ce type de boîtier, l’évacuation des calories peut s’effectuer via les deux faces du composant.

Ces diodes affichent une tenue en tension de 15 V, 30 V ou 45 V. Elles supportent un courant d’intensité 25 A (1N6910UTK2, 1N6911UTK2, 1N6912UTK2) ou 150 A (1N6940UTK3, 1N6941UTK3, 1N6942UTK3).
En standard, le strap est relié à l’anode (suffixe AS, anode-to-strap). En option, il peut être absent (pas de suffixe) ou connecté à la cathode (suffixe CS, cathode-to-strap).