Par rapport aux Mosfet silicium à l’état de l’art, l’EPC2014 est plus petit et affiche de meilleures performances en régime de commutation. Efficient Power Conversion (EPC) complète son catalogue de Fet de puissance en nitrure de gallium avec un modèle 40 V/10 A.
Issu de la famille eGaN de seconde génération de l’américain, ce transistor référencé EPC2014 est crédité d’une résistance maximale à l’état passant de 16 mOhms pour une tension de grille de 5 V.
Sa température de jonction maximale est de 150 °C, soit 25 °C de plus que celle tolérée par l’EPC1014 de génération antérieure (cliquer sur l’image pour afficher un comparatif des deux produits).

Selon la société, par rapport aux Mosfet silicium à l’état de l’art, l’EPC2014 est plus petit (1,87 mm² seulement) et affiche de meilleures performances en régime de commutation.
Il trouvera son juste emploi dans les convertisseurs DC-DC de proximité, les alimentations à découpage, les amplificateurs fonctionnant en classe D, les topologies haute fréquence et à commutation dure.
Par quantité de 1000 pièces, le prix unitaire de l’EPC2014 est de 1,12 $.