Le fondeur devrait échantilloner ses premiers prototypes de composants à transistors tridimensionnels FinFET et planaires FDSOI en 2013. Globalfoundries vient de détailler ses travaux concernant la réalisation de processeurs à double coeur Cortex-A9 avec des transistors tridimensionnels FinFET 14 nm. Par rapport à la technologie planaire 28 nm SLP actuelle, les gains atteindraient 61 % en fréquence (à consommation égale) et 62 % en consommation (à même fréquence). Dans le même temps, le fondeur a annoncé qu’il lancera ses premiers prototypes de composants en technologie planaire FDSOI (celle développée notamment par STMicroelectronics) fin 2013, avec production en volume au premier semestre 2014, soit sensiblement le même calendrier que pour la technologie FinFET.