Avec ces composants GaN sur substrat de silicium, Fujitsu compte adresser le marché des alimentations de forte puissance destinées aux serveurs. Travaillant sur la technologie GaN depuis 2009 et après avoir conclu des accords avec différents partenaires, Fujitsu Semiconductor entend démarrer d’ici la mi-2013 la production de volume de composants en nitrure de gallium, destinés aux applications de commutation de puissance.
Le marché visé est celui des alimentations à découpage de forte puissance mises en oeuvre dans les serveurs.

A cet égard, lors de la manifestation Embedded Technology qui s’est tenue du 14 au 16 novembre à Yokohama, la société a présenté un prototype d’alimentation développant 2,5 kW, réalisée à partir de composants en GaN.
Fujitsu a opté pour une technologie nitrure de gallium sur substrat de silicium, permettant d’utiliser des tranches de grand diamètre (6 pouces dans le cas présent) afin de réduire les coûts.