Objectif : porter les mémoires magnétorésistives au-delà des 10 nm. L’Imec et Globalfoundries viennent d’étendre leur collaboration visant à développer une technologie de mémoire non volatile STT-MRam. Le fondeur vient ainsi rejoindre un programme liant d’ores et déjà des fournisseurs de circuits intégrés comme Qualcomm et des fabricants d’équipements de production. L’objectif consiste notamment à faire migrer les mémoires magnétorésistives au-delà des 10 nm et d’atteindre des temps d’accès inférieurs à 1 ns.