Ces circuits à puces Dram empilées promettent des débits de données 15 fois supérieurs aux modèles planaires classiques. IBM va démarrer la production des mémoires tridimensionnelles de Micron dans son usine d’East Fishkill (New York), en technologie 32 nm à voies traversantes (TSV). Avec ces mémoires 3D baptisées Hybrid Memory Cube, Micron promet d’atteindre des vitesses 15 fois supérieures aux modèles planaires classiques.

Elles sont constituées de puces Dram empilées les unes sur les autres, avec un débit de données de 128 Go/s et une consommation réduite de 70 % pour les premiers prototypes.