Pour les applications automobiles, la société introduit ses premiers OptiMOS T2 40 V dont le procédé d’attachement de la puce au leadframe du boîtier est exempt de plomb. Qualifiés AEC, les derniers Mosfet de puissance en boîtiers TO introduits par Infineon Technologies sont 100 % sans plomb.
L’allemand va ainsi plus loin que la directive RoHS (Restriction of the use of Hazardous Substances) actuelle qui ne bannit pas l’usage du plomb dans les procédés de brasure utilisés pour fixer la puce au leadframe du boîtier.
Les transistors concernés sont des modèles 40 V en tranchée issus de la famille OptiMOS T2.

Les références dès à présent disponibles sont les IPB160N04S4-02D (160 A, TO-263), IPB100N04S4-02D (100 A, TO-263), IPP100N04S4-03D (100 A, TO-220) et IPI100N04S4-03D (100 A, TO-262).
Pour l’heure, le procédé de soudure par diffusion adopté par la société ne concerne que les trois formats de boîtiers indiqués.