Ces diodes thinQ! sont des modèles 650 V combinant une faible charge capacitive et une tension directe limitée. Infineon technologies étend sa gamme de diodes Schottky en carbure de silicium avec des composants de cinquième génération (depuis 2001, date de l’introduction des premières diodes SiC par l’allemand).
Supportant une température de jonction jusqu’à 175 °C, ces diodes thinQ ! combinent la petite charge capacitive et la faible tension directe des composants issus des générations précédentes.
Il en résulte une amélioration de quelque 30 % du facteur de mérite. Leur robustesse vis-à-vis des transitoires de courant a été par ailleurs améliorée.

Ces nouvelles diodes thinQ! sont des modèles de 650 V (600 V pour les générations 2 et 3) afin de s’apparier aux derniers transistors CoolMOS développés par la société.
Proposées en différents formats de boîtiers (TO-247, TO-220, ThinPAK 8×8, D²PAK), elles couvrent la gamme 2 A à 40 A.
Parmi les applications visées : les serveurs, l’éclairage, les alimentations à découpage mises en œuvre dans les applications télécoms, les onduleurs solaires et les alimentations secourues.