
Ils présentent une résistance à l’état passant de 20 mOhms (pour les modèles encapsulés en boîtier SMD2), supportent une charge d’ionisation totale (TID) supérieure à 100 krad et résistent aux effets SEE jusqu’à 55 MeV.cm²/mg.

Ils présentent une résistance à l’état passant de 20 mOhms (pour les modèles encapsulés en boîtier SMD2), supportent une charge d’ionisation totale (TID) supérieure à 100 krad et résistent aux effets SEE jusqu’à 55 MeV.cm²/mg.
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