Ces mémoires nécessitent 30 à 40 % de silicium en moins par rapport à la précédente génération en 25 nm. Intel et Micron lancent leurs premières mémoires flash fabriquées en technologie 20 nm. Ces mémoires flash Nand multiniveaux (MLC) présentent une capacité de 8 Go. La puce ne mesure que 118 mm² de silicium, soit 30 à 40% de moins que la précédente génération gravée en 24 ou 25 nm. Fabriquée par IM Flash Technologies, la société commune d’Intel et de Micron dévolue à ces mémoires, elle présente, selon les fabricants, des performances et une endurance similaires à celles de la précédente génération. Cette annonce fait écho à celle de Samsung qui, lui aussi, commence à produire des mémoires flash Nand MLC en 20 nm.