Conçus pour les convertisseurs de tension mis en œuvre dans le domaine spatial, les Mosfet R8 de l’américain affichent de faibles pertes statiques et une empreinte limitée sur la carte. International Rectifier complète son catalogue de Mosfet de puissance durcis aux radiations avec deux modèles optimisés pour les convertisseurs DC-DC de proximité.
Ces transistors de 20 V/17 A (IRHLNM87Y20SCS) et de 20 V/12 A (IRHLF87Y20SCS) de la famille R8 affichent de faibles résistances à l’état passant, soit 15 et 32 mOhms, respectivement.
La charge de grille est quant à elle de 24 ou 27 nC. Par ailleurs, le boîtier au format SMD-0.2 permet de réduire de moitié l’empreinte sur la carte vis-à-vis d’un modèle en boîtier SMD-0.8.
Ces produits tolèrent une dose totale de radiations de 300 krad (Si). Par lot de 250 pièces, leur prix unitaire démarre à 594 $.