La série se compose de trois modèles 60 V en boîtiers CMS de 6,2 x 4,3 x 2 mm. Au chapitre des bénéfices apportés : un encombrement et un poids moindres vis-à-vis d’une solution à deux transistors en boîtiers distincts. Spécifiés pour une dose totale ionisante de 100 kRads (Si) (300 kRads en option), les doubles Mosfet durcis lancés par International Rectifier visent les applications spatiales.
Ces transistors sont proposés dans des boîtiers CMS de type LCC-6, dont les dimensions sont de 6,2 x 4,3 x 2 mm. Ce qui, par rapport à une solution faisant appel à deux transistors en boîtiers LCC-3 distincts, se traduit par un encombrement et un poids moindres.

La série se compose de trois modèles 60 V intégrant deux Mosfet canal N (IRHLUC770Z4), deux Mosfet canal P (IRHLUC7970Z4) ou une combinaison de Mosfet canal N et canal P (IRHLUC7670Z4). La puissance maximale dissipée est ici de 1 W à 25 °C.
Pour un Mosfet canal N, la résistance à l’état passant est typiquement de 0,75 Ohm, à une température de jonction de 25 °C et pour un courant de drain de 0,56 A.
Par commande de 10 pièces, les prix démarrent à 624 $ l’unité.