
Cette accélération, à budget énergétique identique, a été rendu possible par le passage à une technologie Cmos 45 nm sur SOI adaptée pour ce circuit, mais aussi à de nombreuses améliorations techniques. La commande programmable de synchronisation a notamment été étendue à tous les chemins de données critiques. C’est le cas pour l’accès aux premier et troisième niveaux de mémoire cache et pour la boucle d’éxécution en un seul cycle des unités arithmétiques en virgule fixe. Plus de 10 µF de condensateurs de découplage implémentés en tranchées profondes ont été ajoutés pour maintenir la stabilité des rails de tension.