Dans son boîtier PowerPAK de 2 x 2 mm, le dernier Mosfet de Vishay Siliconix affiche typiquement une résistance à l’état passant de 16 mOhms seulement. Référencé SiA427DJ, le dernier Mosfet de puissance en technologie TrenchFET de Vishay Siliconix est caractérisé par une résistance à l’état passant annoncée comme la plus basse du marché, pour un modèle canal P de 8 V (VDS) en boîtier PowerPAK.
Cette résistance est en effet de 16 mOhms pour une tension VGS de -4,5 V, de 26 mOhm à -1,8 V, de 32 mOhms à -1,5 V et de 95 mOhms à -1,2 V. La charge de grille est quant à elle typiquement de 30 nC.
Par rapport à un transistor en boîtier standard SC-70, dont l’empreinte sur la carte est identique (soit 2 x 2 mm), le SiA427DJ est susceptible de dissiper 40 % de puissance en plus, dans les mêmes conditions ambiantes.
Ce Mosfet trouvera son juste emploi comme commutateur de charge dans les produits électroniques portables (téléphones cellulaires, smartphones, lecteurs mp3, appareils photo numériques, tablettes PC, livres électroniques…).
