Le Mosfet 600 V introduit par l’américain AOS afficherait un facteur de mérite amélioré d’un facteur 5,7 par rapport aux transistors planar conventionnels. Alpha and Omega Semiconductor (AOS), spécialiste américain des semi-conducteurs de puissance, a introduit son premier Mosfet haute tension (600 V) tirant profit d’une technologie propriétaire baptisée Alpha-MOS.
Vis-à-vis d’un Mosfet planar 600 V conventionnel, la société estime que la résistance à l’état passant RDS(on) a été réduite d’un facteur 3,5 et le facteur de mérite (soit le produit de la résistance drain-source et de la charge de grille) amélioré d’un facteur 5,7.
Concrètement, le nouveau venu affiche un RDS(on) de 0,16 Ohm, alors que la charge de grille est typiquement de 26 nC. A une température de boîtier de 25 °C, la tenue en courant est de 27 A (17 A à 100 °C).
Ce transistor canal N référencé AOTF27S60, réalisé sur des tranches de 200 mm, est disponible en boîtiers TO-220, TO-220F, TO-262, TO-262F et D²PAK. Par 1000 pièces, son prix est de 3,6 $.
