Par rapport à deux transistors en boîtiers SOT23 séparés, les Mosfet de Diodes réduisent l’espace occupé sur la carte de quelque 70 %. Diodes lance une famille de doubles Mosfet encapsulés dans des boîtiers DFN3020 dont l’empreinte sur la carte est de 6 mm² (3 x 2 mm), pour une hauteur de 0,8 mm seulement.
Par rapport à une solution à deux Mosfet en boîtiers SOT23 séparés, l’espace économisé sur le circuit imprimé est évalué à 70 %.

La série est forte de trois éléments incluant deux Mosfet canal N 20 V (ZXMN2AMC), deux Mosfet canal N 30 V (ZXMN3AMC) ou une paire complémentaire de Mosfet 30 V (ZXMC3AMC).
Tous ces composants présentent une résistance thermique jonction-ambiant de 83 °C/W et sont susceptibles de délivrer 2,4 W.
Ils trouveront leur juste emploi comme commutateurs de charge, dans les convertisseurs DC-DC ou, pour la version à transistors complémentaires, dans les applications de commande de moteurs.