
Tirant profit de la sixième génération de puces IGBT LPT-CSTBT (“Light-punch through carrier stored trench-gate bipolar transistor”) du japonais, cet IPM (Intelligent power module) issu de la série 4 affiche un courant nominal de 50 A. Ce qui, selon la société, constitue une valeur inédite pour un tel produit en boîtier DIP.
Par ailleurs, vis-à-vis du module PS22A78-E de 35 A antérieur, la précision et la linéarité du capteur de température interne ont été améliorées.
La série 4 de DIPIPM 1200 V de Mitsubishi couvre désormais la gamme 5 A à 50 A.