Les trois Mosfet annoncés par Renesas sont caractérisés par un RDS(on) de 150 mOhms (en valeur typique) et un facteur de mérite amélioré. Renesas Electronics annonce la mise à disposition pour cet automne de trois nouveaux Mosfet à super-jonction de 600 V, à destination des convertisseurs DC-DC, des onduleurs et des applications de commande moteur.
Référencés RJL60S5DPP, RJL60S5DPK et RJL60S5DPE, ces transistors sont caractérisés par un faible facteur de mérite (soit le produit de la résistance à l’état passant par la charge de grille). L’heureuse conséquence en sera l’amélioration du rendement énergétique, notamment dans les produits domestiques qui mettent en œuvre des moteurs à haute vitesse.
Au niveau de la seule résistance à l’état passant, la valeur obtenue est typiquement de 150 mOhms (à ID=10 A et VGS=10 V). Quant au temps de recouvrement inverse de la diode intrinsèque, il a été réduit à 150 ns (à ID=20 A).
Ces Mosfet sont proposés dans les formats de boîtiers suivants : TO-220FP (RJL60S5DPP), TO-3P (RJL60S5DPK) et LDPAK (RJL60S5DPE).
