La société lance une série de Mosfet dont l’empreinte sur la carte est de 0,6 mm², pour une épaisseur de quelque 0,4 mm seulement. Diodes complète son catalogue de Mosfet avec des éléments en boîtier DFN1006-3 occupant quelque 0,6 mm² (0,6×1 mm) sur le circuit imprimé, soit la moitié de la surface consommée par des transistors au format SOT723.
Par ailleurs, leur épaisseur de 0,4 mm est conforme aux attentes des produits électroniques grand public à bas profil, tels que les smartphones et les tablettes PC.
Pour l’heure des modèles 20 V, 30 V et 50 V sont proposées. Ceux-ci sont protégés contre les décharges électrostatiques à hauteur de 2 ou 3 kV.

Ainsi, les DMN2300UFB4 et DMP21D0UFB4 sont des Mosfet 20 V à enrichissement, respectivement à canal N et à canal P.
Le premier affiche une résistance à l’état passant est de 175 mOhms, pour une tension grille-source de 4,5 V et un courant de drain de 1,3 A à 25°C. Sa résistance thermique jonction-ambiant est de 256 °C/W.
Pour sa part, le second cité est susceptible de dissiper 1 W, dans les conditions indiquées par la société (substrat FR-4, épaisseur de cuivre, vias thermiques…).