L’américain lance une série de Mosfet en tranchée PowerTrench en boîtiers Dual Cool, facilitant l’évacuation des calories via la face supérieure dudit boîtier. Afin de répondre à la demande croissante émanant des applications réseaux et télécoms, en matière d’intensité de courant, de rendement énergétique et de facteur de forme des convertisseurs DC-DC, Fairchild Semiconductor a développé un nouveau type de boîtier pour ses Mosfet.

Baptisé Dual Cool, celui-ci conserve l’empreinte d’un boîtier PowerQFN traditionnel. La différence réside en l’ajout d’un conducteur thermique exposé, placé sur la face supérieure du boîtier. Lorsqu’un radiateur est employé, cette structure a pour effet de faciliter l’évacuation des calories vers le haut (en sus de la conduction de la chaleur via le circuit imprimé).
La résistance thermique entre la puce et la face supérieure du boîtier ainsi abaissée se traduirait par une puissance dissipée de 60 % supérieure à celle autorisée par un PQFN.

Ce boîtier Dual Cool concerne les Mosfet en tranchée PowerTrench, à faible résistance à l’état passant, de la société. Il s’agit pour l’heure de modèles 25 V canal N référencés FDMS2504SDC, FDMS2506SDC, FDMS2508SDC et FDMS2510SDC, ainsi que du FDMC7660DC, dont la tenue en tension drain-source est de 30 V.
Les quatre premiers cités sont disponibles en boîtiers au format Dual Cool Power56 (5×6 mm), le dernier en Dual Cool Power33 (3,3×3,3 mm). Tous sont conçus pour le redressement synchrone dans les étages de conversion DC-DC, pour le redressement côté secondaire dans les systèmes télécoms, pour les serveurs et les stations de travail de haut de gamme.
Par 1000 pièces, les prix unitaires s’échelonnent entre 1,38 $ et 4,14 $.