Ces transistors canal N sont des modèles 400 V, 500 V et 600 V caractérisés par une charge de grille divisée par deux par rapport aux Mosfet de précédente génération. Vishay Intertechnology a procédé à l’échantillonnage de ses premiers Mosfet haute tension de nouvelle génération.
Issus de la série D, ces transistors canal N de 3 A à 36 A (à 25 °C) sont des modèles 400 V, 500 V et 600 V combinant une faible résistance à l’état passant (typiquement 0,17, 0,13 et 0,34 Ohm) et une charge de grille très basse.
Cette dernière est en effet de 9 nC (400 V), 6 nC (500 V) ou 45 nC (600 V).
La production de volume de ces transistors est envisagée pour le troisième trimestre 2012.