
Par exemple, le PMV16UN est un modèle 20 V/5,8 A canal N à enrichissement dont la résistance à l’état passant est typiquement de 15 mOhms, pour 18 mOhms max. Et ce dans les conditions suivantes : VGS=4,5 V, ID=5,8 A et une température de jonction de 25 °C.
Destinés aux appareils électroniques grand public (PC portables, tablettes, téléphones mobiles, TV LCD, boîtiers-décodeurs…), ces transistors en tranchée sont présentés dans des boîtiers CMS du type SOT23 ou SOT457.
En 2011, NXP envisage d’introduire quelque 70 Mosfet petits signaux canal N ou canal P.