Le japonais lancera au troisième trimestre la production en volume de puces flash MLC 64 Gbits fabriquées en 19 nm. Après Samsung et récemment Intel/Micron, c’est au tour de Toshiba de lever le voile sur sa prochaine génération de mémoires flash Nand. Le japonais vient en effet de fabriquer ses premières mémoires non volatiles exploitant une technologie de fabrication Cmos 19 nm. Ces modèles 64 Gbits multi-niveaux (MLC) à 2 bits par cellule seront suivis de versions à 3 bits par cellule.

Les premiers échantillons sont programmés pour la fin du mois d’avril, avec une production en volume qui devrait démarrer au troisième trimestre. L’objectif du japonais est d’assembler jusqu’à 16 puces dans un seul boîtier de 128 Go.