Plus rapide, dense et sobre, la RLDram3 sera échantillonnée début 2011. Micron échantillonnera début 2011 sa troisième génération de mémoire Dram à faible latence. La RLDram3 bénéficiera de plusieurs améliorations : latence inférieure à 10 ns, densité boostée jusqu’à 1 Gbits, débits de 2 133 Mbits/s, alimentation sous 1,35 V pour le coeur et 1,2 V pour les entrées-sorties… Parallèlement, Micron basculera sa RLDram2 en technologie 50 nm au quatrième trimestre 2010.