Ces IGBT 1200 V en technologie NPT ciblent une large palette d’applications industrielles de forte puissance. Microsemi annonce la mise à disposition d’une douzaine d’IGBT 1200 V réalisés selon une technologie NPT (Non-punch Through).
L’ensemble inclut des versions de 25 A, 50 A et 70 A. Tous font appel au procédé Power MOS 8 de l’américain, permettant une réduction significative des pertes en conduction et en commutation.

Ces IGBT peuvent être associées dans le même boîtier à des diodes à recouvrement rapide ou à des diodes Schottky en carbure de silicium. Ils soutiennent une fréquence de 80 kHz en régime de commutation dure.
Ces composants trouveront leur juste emploi dans une multitude d’applications, incluant le soudage à l’arc, les onduleurs solaires, les alimentations à découpage et secourues (UPS)…