Moins de 1,1 mOhm de résistance pour un Mosfet 200 A qualifié AEC-Q101

Le 14/12/2012 à 18:59  

Œuvre de Vishay, ce TrenchFET 40 V est destiné aux applications de commande moteur de forte puissance, incluant les systèmes de direction assistée électrique. Qualifié AEC-Q101 pour le milieu automobile, le Mosfet SQM200N04-1m1L de Vishay Intertechnology est le premier TrenchFET canal N 40 V tirant avantage d’un boîtier D²PAK à 7 broches (TO-263-7L).
Il en résulte un calibre en courant de 200 A et une résistance à l’état passant (RDS(on)) ultra-basse. Celle-ci est en effet inférieure à 1,1 mΩ et 1,3 mΩ, à 10 V et à 4,5 V respectivement. La résistance thermique jonction-boîtier est quant à elle de 0,4 °C/W.

Fonctionnant avec une température de jonction comprise entre -55 °C et +175 °C, ce Mosfet est destiné aux applications de commande moteur de forte puissance, incluant les systèmes de direction assistée électrique.