L’accord signé entre les deux sociétés permettra aux concepteurs de bénéficier d’une seconde source d’approvisionnement pour des Mosfet à fort courant en boîtiers H-PSOF. Infineon Technologies et Fairchild Semiconductor ont signé un accord de licence portant sur la technologie de boîtier CMS dite H-PSOF (Heatsink plastic small outline flat lead) de l’allemand.

Ce format de boîtier (MO-299 selon le standard Jedec) concerne des Mosfet de puissance destinés aux applications automobiles. Cela inclut la gestion de batterie des véhicules hybrides, la direction assistée électrique, les alternateurs actifs et autres systèmes électriques à forte charge.

Permettant de soutenir de forts courants (jusqu’à 300 A), le boîtier H-PSOF est une alternative moins encombrante aux D²PAK traditionnels. Les gains en surface de carte et en épaisseur sont ici de 20 % et 50 %, respectivement. Pour le concepteur, l’intérêt sera aussi de bénéficier d’une seconde source d’approvisionnement.
Les premiers Mosfet en H-PSOF de Fairchild seront échantillonnés au second semestre 2012, pour une mise en production l’année suivante.