Les dernières diodes Schottky de la société sont des modèles 100 V réalisés selon une technologie en tranchée, afin de limiter leur tension directe ainsi que les courants de fuite. ON Semiconductor introduit une famille de diodes Schottky à destination des alimentations à découpage des ordinateurs portables ou des écrans plats, des convertisseurs DC-DC haute fréquence ou pour la protection des systèmes contre l’inversion de batterie.

Il s’agit là de modèles 100 V, réalisés selon une technologie Mos en tranchée, caractérisés par de faibles pertes en conduction et un courant de fuite réduit.
Par rapport à des diodes planaires classiques de 100 V/30 A, les tests réalisés par la société avec une alimentation de 65 W mettraient en évidence un rendement amélioré de 1 %.

Les différentes versions intègrent deux diodes dans une structure avec cathode commune, estampillées NTST30100CTG (2×15 A), NTST20100CTG (2×10 A) et NTSB20U100CTG (2×10 A).
A un courant de 5 A et pour une température de jonction de 125 °C, la tension directe est comprise entre 0,45 V et 0,5 V.
Ces composants sont proposés en boîtiers TO-220 ou I²PAK.