Les deux fabricants développeront ensemble leurs technologies de fabrication 20 nm et moins. Samsung et IBM viennent d’annoncer leur collaboration future en recherche et développement microélectronique, notamment pour ce qui concerne les matériaux et la fabrication de circuits intégrés, les structures de transistors, l’interconnexion et le packaging.

Des chercheurs de Samsung seront intégrés au centre R&D d’Albany (Etats-Unis), siège de la Semiconductor Research Alliance chapeautée par IBM, et qui compte également Infineon, Freescale, GlobalFoundries, Renesas, ST ou encore Toshiba. Les deux fabricants développeront donc ensemble leurs technologies de fabrication 20 nm et moins.