Ce module de puissance est réalisé avec des Fet en nitrure de gallium sur substrat silicium. Par rapport à l’existant, il fournirait une puissance double, avec des niveaux de consommation et de distorsion équivalents. Renesas Electronics annonce le développement d’un amplificateur de puissance réalisé avec des Fet en nitrure de gallium, à destination des systèmes CATV (diffusion de la télévision via le câble) dans la bande des 1 GHz.
Par rapport à l’existant, ce module référencé MC-7802 fournirait une puissance pratiquement doublée, avec des niveaux de consommation et de distorsion équivalents.
Les Fet GaN utilisés sont ici fabriqués sur un substrat silicium et non en carbure de silicium comme usuellement. Ce qui va se traduire par des coûts de production en baisse et l’utilisation possible de wafers de plus grand diamètre.
De fait, selon la société, le MC-7802 devrait être proposé à un prix compétitif.