Ces diodes sont caractérisées par une tension directe de 1,35 V seulement, soit 10 % de moins que les modèles en SiC jusque-là proposés par la société. Rohm annonce l’échantillonnage de sa seconde génération de diodes Schottky en carbure de silicium.
Ces composants affichent une tension directe de 1,35 V seulement. Ce qui, selon la société, représente la valeur (aujourd’hui située aux alentours de 1,5 V, notamment pour les SCS110AG au catalogue de la société) la plus basse de l’industrie pour ce type de composant.
Il va ainsi en résulter une diminution conséquente des pertes énergétiques dans les systèmes d’alimentation des équipements industriels, des serveurs ou dans ceux mis en œuvre dans le domaine du photovoltaïque.
Les deux premiers composants introduits sont les SCS210AG et SCS210AM, des diodes 600 V/10 A en boîtiers TO-220AC/FM. Plusieurs autres modèles 600 V sont actuellement en développement.