Comparé à un modèle 1212 conventionnel, ce nouveau boîtier affiche une empreinte et une hauteur de 67 % et 28 % inférieures, respectivement. Rohm Semiconductor annonce la mise en chantier de Mosfet petits signaux encapsulés dans un boîtier annoncé comme le plus compact de l’industrie.
Ce boîtier estampillé VML0806 affiche ainsi des dimensions de 0,8 x 0,6 mm, pour une épaisseur de 0,36 mm seulement.
Ce qui, par rapport à un format traditionnel de taille 1212 (1,2 x 1,2 x 0,5 mm), se traduit par une diminution de 67 % de l’empreinte sur la carte, pour une hauteur de 28 % inférieure.

Destinés aux smartphones, aux appareils photo numériques et autres produits nomades, les premiers Mosfet bénéficiant de ce boîtier seront des modèles 20 V, à canal N pour le RV1C002UN et à canal P pour le RV1C001ZP.
En outre, des transistors bipolaires NPN (2SAR523V1) et PNP (2SCR523V1) sont actuellement en développement.