En abaissant les pertes énergétiques dues à la diode parasité intrinsèque du Mosfet, la société évite le recours à une diode Schottky additionnelle. Rohm a démarré la production en série d’un module Mosfet en carbure de silicium destiné aux onduleurs et aux convertisseurs mis en œuvre dans les équipements industriels ou les conditionneurs de puissance des systèmes photovoltaïques.
Ce module de 1200 V présente la particularité de ne pas inclure la traditionnelle diode Schottky en parallèle sur le transistor.
Pour ce faire, la société a amélioré les propriétés de la diode parasite intrinsèque du Mosfet, éliminant ainsi le recours à un composant annexe afin de limiter les pertes énergétiques.
Selon le japonais, cela a permis de porter le courant nominal à 180 A (100 A précédemment) et de gagner en compacité.