Les deux fabricants entendent mêler Dram et fonctions logiques dans des modules à liaisons TSV. Samsung Electronics et Micron Technology viennent de fonder le Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC), une organisation destinée à établir d’ici 2012 les spécifications d’une nouvelle gamme de mémoires dynamiques.

Partant du constat que la Dram traditionnelle n’arrive plus à suivre l’évolution des processeurs, les deux fabricants ont décidé de mettre au point des composants intégrant des mémoires Dram et des fonctions logiques dédiées réunies au sein d’une architecture 3D utilisant des liaisons TSV (through-silicon vias).

Altera, Xilinx et Open Silicon participent également à ce projet.