Le sud-coréen gagne 60 % de productivité par rapport aux précédents modèles 32 Gbits en 30 nm. Toshiba avait annoncé cet été le lancement de la production de mémoires flash 64 Gbits en technologie Cmos 24 nm. Samsung fait aujourd’hui mieux, en fabriquant désormais des modèles de même capacité en 20 nm. Les flash Nand à 3 bits par cellule du sud-coréen visent notamment les clés USB et les cartes mémoire SD.

Par rapport aux précédents modèles, des 32 Gbits en technologie 30 nm, Samsung annonce un gain de productivité de 60 %. En outre, ces nouveaux modèles bénéficient de la technologie Toggle DDR pour un débit de données double.