Le sud-coréen s’appuie sur des puces 4 Gbits fabriquées en technologie Cmos 30 nm. Samsung lance la production en volume de barrettes de mémoires Dram de 32 Go. Ces modules RDIMM sont destinés aux serveurs informatiques et reposent sur des puces DDR3 de 4 Gbits fabriquées en technologie Cmos 30 nm. Ces modules délivrent 1866 Mbit/s, 40 % de plus que la génération 40 nm, pour une consommation réduite de 18 %.

Le sud-coréen devrait en outre passer aux puces mémoires 20 nm lors du second semestre. D’ici 2012, Samsung assure qu’il aura basculé plus de 10 % de sa production de Dram sur des puces de 4 Gbits.