Ces modules mémoire LRDIMM vont aussi permettre aux serveurs de traiter des données à un débit de 1,333 Gbit/s. Samsung Electronics a développé un prototype de module mémoire LRDIMM (Load-reduced dual in-line memory module) d’une capacité record de 32 Go. Cette dernière a été obtenue par l’association de 72 puces DDR3 de 4 Gbits, réalisées selon la technologie 40 nm du coréen.
Un buffer additionnel réduit jusqu’à 75 % la charge du sous-système mémoire.

Fonctionnant sous 1,35 V ou 1,5 V, ces modules LRDIMM de 32 Go visent les applications serveur. Avec eux, un CPU pourra désormais adresser 384 Go de mémoire. Par ailleurs, le traitement des données sera assuré à un débit de 1,333 Gbit/s, soit environ 70 % plus vite qu’actuellement.
La fabrication en série du module devrait être effective au second semestre 2010.