Le Sud-Coréen réduit de manière significative la consommation de systèmes sur une puce dédiés aux applications portables. Samsung annonce la qualification d’une technologie Cmos 32 nm à faible consommation pour la fabrication de circuits numériques sur tranches de 300 mm dans son usine de Giheung (Corée du Sud). Cette technologie fait appel à des transistors à grille métallique et diélectrique à k élevé. Développé en collaboration avec IBM, ce process permet de réduire de 30 % la consommation dynamique et de 55 % les courants de fuite par rapport à la précédente technologie 45 nm faible consommation. Parmi les blocs de propriété intellectuelle d’ores et déjà portés sur cette technologie figurent le coeur ARM 1176 et d’autres blocs fonctionnels relatifs aux coeurs de processeurs du Britannique, ou encore l’interface USB 2.0 OTG de Synopsys.