Proposant jusqu’à présent des diodes Schottky de 5 A en boîtier DPAK, la société échantillonne son premier modèle de 10 A. SemiSouth Laboratories, le spécialiste américain des composants de puissance en carbure de silicium, introduit une diode Schottky 1200 V caractérisée par une intensité nominale de courant de 10 A.
Ce qui constitue un gain d’un facteur deux par rapport au modèle antérieur (SDB05S120) en boîtier DPAK figurant au catalogue de la société.

Référencée SDB10S120, cette diode présente un coefficient de température positif, facilitant ainsi la mise en parallèle des composants. Quant à sa température maximale de fonctionnement, elle est de +175 °C.
Le boîtier DPAK à deux broches, de type TO-252-2L, affiche quant à lui une empreinte sur la carte de 9,8 x 6,6 mm, pour une épaisseur de 2,29 mm.
Actuellement en phase d’échantillonnage, la SDB10S120 est proposée à 8,66 $, prix unitaire par lot de 1000 pièces.