Le dernier Mosfet 650 V en boîtier TO-247 de la famille MDmesh V est caractérisé par une résistance à l’état passant de 29 mOhms seulement. STMicroelectronics complète sa famille MDmesh V de Mosfet à superjonction avec un modèle 650 V / 84 A dont la résistance à l’état passant n’excède pas 29 mOhms (dans les conditions suivantes : VGS=10 V, ID=42 A, Tc=25°C).
Ce qui représente un gain de 23 % vis-à-vis du meilleur Mosfet 650 V en boîtier TO-247, issu de la même famille, précédemment introduit par la société.
Référencé STW88N65M5, ce transistor canal N, 100 % testé en régime d’avalanche, est d’ores et déjà disponible au prix unitaire de 20 $, par lot de 1000 pièces.
Parmi les applications visées : les serveurs, les infrastructures télécoms, les chargeurs de batterie de plusieurs kilowatts, les onduleurs solaires.
